IRF3205S

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF3205S@INFIN PDF даташит
Масса товара:
2 грамм
IRF3205S фото 1 IRF3205S фото 1
IRF3205S фото 2 IRF3205S фото 2
IRF3205S фото 3 IRF3205S фото 3
IRF3205S
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF3205S
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Drain
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
44 S
Height
4.83 mm
Length
10.67 mm
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
200 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
D2PAK
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 146 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
3247 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
14 ns
Typical TurnOff Delay Time
50 ns
Width
9.65 mm
обновлено 2017-07-23 07:30:54
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94897 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 198079 шт.

IRF3205S%40INFIN