IRF2807S

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF2807S@INFIN PDF даташит
IRF2807S фото 1 IRF2807S фото 1
IRF2807S фото 2 IRF2807S фото 2
IRF2807S фото 3 IRF2807S фото 3
IRF2807S
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF2807S
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Drain
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Forward Diode Voltage
1.2 V
Forward Transconductance
38 S
Height
4.83 mm
Length
10.67 mm
Maximum Continuous Drain Current
82 A
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
230 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
D2PAK
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 160 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
3820 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
13 ns
Typical TurnOff Delay Time
49 ns
Width
9.65 mm
обновлено 2017-07-27 11:00:16
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94894 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 10789 шт.

IRF2807S%40INFIN