IRF2804S

Купить со склада от 82,40 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF2804S@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
2 грамм
IRF2804S фото 1 IRF2804S фото 1
IRF2804S фото 2 IRF2804S фото 2
IRF2804S фото 3 IRF2804S фото 3
IRF2804S
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF2804S
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-263-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
40 V
Id - Continuous Drain Current
280 A
Rds On - Drain-Source Resistance
2 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4 V
Qg - Gate Charge
160 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon IR
Configuration
Single Quint Source
Fall Time
130 ns
Forward Transconductance - Min
130 S
Height
4.4 mm
Length
10 mm
Pd - Power Dissipation
330 W
Rise Time
120 ns
Factory Pack Quantity
800
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
130 ns
Typical Turn-On Delay Time
13 ns
Width
9.25 mm
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94891 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 82.40RUB руб. Купить

Доступное количество: 61013 шт.

IRF2804S%40INFIN