IRF1310NS

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF1310NS@INFIN PDF даташит
Масса товара:
2 грамм
IRF1310NS фото 1 IRF1310NS фото 1
IRF1310NS фото 2 IRF1310NS фото 2
IRF1310NS фото 3 IRF1310NS фото 3
IRF1310NS
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF1310NS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Technology
HEXFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
100
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
42
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
36@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
110(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
110(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
1900@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
3800
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
175
Packaging
Tube
Pin Count
3
Supplier Package
D2PAK
Standard Package Name
TO-263
Military Qualified
No
Automotive
No
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94874 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 73802 шт.

IRF1310NS%40INFIN