IRF1010Z

Купить со склада от 36,80 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF1010Z@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF1010Z фото 1 IRF1010Z фото 1
IRF1010Z фото 2 IRF1010Z фото 2
IRF1010Z фото 3 IRF1010Z фото 3
IRF1010Z
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF1010Z
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
50
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2840pF @ 25V
Vgs (Max)
В±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 75A, 10V
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package Case
TO-220-3
обновлено 2017-07-23 07:30:54
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94867 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 36.80RUB руб. Купить

Доступное количество: 17767 шт.

IRF1010Z%40INFIN