IRF1010E

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF1010E@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRF1010E фото 1 IRF1010E фото 1
IRF1010E фото 2 IRF1010E фото 2
IRF1010E фото 3 IRF1010E фото 3
IRF1010E
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF1010E
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
10.67 x 4.83 x 16.51 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
69 S
Height
16.51 mm
Length
10.67 mm
Maximum Continuous Drain Current
84 A
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
200 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 130 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
3210 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
12 ns
Typical TurnOff Delay Time
48 ns
Width
4.83 mm
обновлено 2017-07-23 07:30:54
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94861 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 52244 шт.

IRF1010E%40INFIN