HGTP12N60A4D

Купить со склада от 317,00 руб

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
Масса товара:
3.16 грамм
HGTP12N60A4D

Анализ рынка HGTP12N60A4D@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
29
43
от 38
396,00 p
Склад
30
76616
от 1000
317,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики HGTP12N60A4D

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Package Type
TO-220
Mounting
Through Hole
Operating Temperature Classification
Military
Rad Hardened
No
Configuration
Single
Pin Count
3 +Tab
Operating Temperature (Max)
150C
Channel Type
N
Gate to Emitter Voltage (Max)
\'±20(V)
Operating Temperature (Min)
-55C
Collector Current (DC)
54(A)
Packaging
RailTube
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 92525 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 317.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 76659 шт.

HGTP12N60A4D%40ONS