HGTP12N60A4D
Купить со склада от 317,00 рубБиполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Техническая документация:
Масса товара:
3.16 грамм
Анализ рынка HGTP12N60A4D@ONS - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
29
43
от 38
396,00 p
Склад
30
76616
от 1000
317,00 p
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики HGTP12N60A4D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Package Type
TO-220
Mounting
Through Hole
Operating Temperature Classification
Military
Rad Hardened
No
Configuration
Single
Pin Count
3 +Tab
Operating Temperature (Max)
150C
Channel Type
N
Gate to Emitter Voltage (Max)
\'±20(V)
Operating Temperature (Min)
-55C
Collector Current (DC)
54(A)
Packaging
RailTube
обновлено 24-03-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
92525
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 317.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 76659 шт.
HGTP12N60A4D%40ONS