HGTG10N120BND

Купить со склада от 127,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF HGTG10N120BND@ONS PDF даташит
Масса товара:
8 грамм
HGTG10N120BND фото 1 HGTG10N120BND фото 1
HGTG10N120BND фото 2 HGTG10N120BND фото 2
HGTG10N120BND фото 3 HGTG10N120BND фото 3
HGTG10N120BND
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики HGTG10N120BND
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
Product Category
IGBT Transistors
RoHS
Details
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.45 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
17 A
Gate-Emitter Leakage Current
+- 250 nA
Power Dissipation
298 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package Case
TO-247-3
Packaging
Tube
Brand
Fairchild Semiconductor
Continuous Collector Current Ic Max
35 A
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Series
HGTG10N120
Factory Pack Quantity
150
Part # Aliases
HGTG10N120BND_NL
Unit Weight
0.225401 oz
обновлено 2017-07-27 11:00:16
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 92515 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 127.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 26283 шт.

HGTG10N120BND%40ONS