Товаров: 5 329 811 от 3592
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-25 01:43
BSM200GA120DN2
IGBT Modules 1200V 200A SINGLE
Техническая документация:
Анализ рынка BSM200GA120DN2@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики BSM200GA120DN2
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Modules
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C
300 A
Gate-Emitter Leakage Current
200 nA
Pd - Power Dissipation
1550 W
Package Case
62 mm
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Brand
Infineon Technologies
Height
36.5 mm
Length
106.4 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Factory Pack Quantity
10
Width
61.4 mm
обновлено 25-04-2024
BSM200GA120DN2%40INFIN