BSM200GA120DN2

Купить со склада от 15665,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF BSM200GA120DN2@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
BSM200GA120DN2 фото 1 BSM200GA120DN2 фото 1
BSM200GA120DN2 фото 2 BSM200GA120DN2 фото 2
BSM200GA120DN2 фото 3 BSM200GA120DN2 фото 3
BSM200GA120DN2
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики BSM200GA120DN2
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Modules
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C
300 A
Gate-Emitter Leakage Current
200 nA
Pd - Power Dissipation
1550 W
Package Case
62 mm
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Brand
Infineon Technologies
Height
36.5 mm
Length
106.4 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Factory Pack Quantity
10
Width
61.4 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:03
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 85389 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 15665.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 15 шт.

BSM200GA120DN2%40INFIN