AUIRF3205ZS

Купить со склада от 115,00 руб

Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 55В; 110А; 170Вт

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF AUIRF3205ZS@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
2.3800 грамм
AUIRF3205ZS фото 1 AUIRF3205ZS фото 1
AUIRF3205ZS фото 2 AUIRF3205ZS фото 2
AUIRF3205ZS фото 3 AUIRF3205ZS фото 3
AUIRF3205ZS

Анализ рынка AUIRF3205ZS@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
1-2
115
от 100
126,00 p
Склад
6
18555
от 1000
134,00 p
Склад
6
2430
от 1000
129,00 p
Склад
8
2900
от 1000
146,00 p
Склад
8
800
от 800
136,00 p
Склад
10
3024
от 1000
115,00 p
Завод
 

Технические характеристики AUIRF3205ZS

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-263-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
55 V
Id - Continuous Drain Current
44 A
Rds On - Drain-Source Resistance
6.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4 V
Qg - Gate Charge
76 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Single
Fall Time
67 ns
Forward Transconductance - Min
71 S
Height
4.4 mm
Length
10 mm
Pd - Power Dissipation
170 W
Rise Time
95 ns
Factory Pack Quantity
800
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
45 ns
Typical Turn-On Delay Time
18 ns
Width
9.25 mm
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 28-11-2020
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 8459816 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 115.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 96192 шт.

AUIRF3205ZS%40INFIN