BD912

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
PDF BD912@ST PDF даташит
BD912 фото 1 BD912 фото 1
BD912 фото 2 BD912 фото 2
BD912 фото 3 BD912 фото 3
BD912
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики BD912
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Manufacturer
STMicroelectronics
RoHS
Details
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Transistor Polarity
PNP
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
100 V
Collector- Base Voltage VCBO
100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Maximum DC Collector Current
15 A
Gain Bandwidth Product fT
3 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
500V Transistors
Brand
STMicroelectronics
DC CollectorBase Gain hfe Min
15
DC Current Gain hFE Max
150
Height
9.15 mm (Max)
Length
10.4 mm (Max)
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Packaging
Tube
Pd - Power Dissipation
90 W
Factory Pack Quantity
1000
Width
4.6 mm (Max)
обновлено 2017-07-09 07:16:01
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 77618 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 52785 шт.

BD912%40ST