BC857BV

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF BC857BV@NXP PDF даташит
Другие
названия этого товара:
BC857BV фото 1 BC857BV фото 1
BC857BV фото 2 BC857BV фото 2
BC857BV фото 3 BC857BV фото 3
BC857BV
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики BC857BV
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
45V
Power Dissipation Pd
200mW
DC Collector Current
-100mA
DC Current Gain hFE
200
Transistor Case Style
SOT-666
No. of Pins
6
Operating Temperature Max
150°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
SVHC
No SVHC (16-Jun-2014)
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
-100mV
Current Ic hFE
2mA
Full Power Rating Temperature
25°C
Gain Bandwidth ft Typ
100MHz
Hfe Min
200
Module Configuration
Dual
Operating Temperature Min
-65°C
Operating Temperature Range
-65°C to +150°C
Packaging
Cut Tape
Power Dissipation Ptot Max
300mW
Power Dissipation per device Max
200mW
SMD Marking
3F
Voltage Vcbo
50V
обновлено 2017-07-23 07:30:51

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

BC857BV%40NXP