2N7000BU

Купить со склада от 3,41 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF 2N7000BU@ONS PDF даташит
Аналоги товара:
2N7000BU фото 1 2N7000BU фото 1
2N7000BU фото 2 2N7000BU фото 2
2N7000BU фото 3 2N7000BU фото 3
2N7000BU
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 2N7000BU
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-92-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Id - Continuous Drain Current
200 mA
Rds On - Drain-Source Resistance
1.2 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Bulk
Brand
ON Semiconductor Fairchild
Configuration
Single
Fall Time
10 ns
Forward Transconductance - Min
0.1 S
Height
5.33 mm
Length
5.2 mm
Pd - Power Dissipation
400 mW
Product
MOSFET Small Signal
Rise Time
10 ns
Factory Pack Quantity
1000
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
10 ns
Typical Turn-On Delay Time
10 ns
Width
4.19 mm
Part # Aliases
2N7000BU_NL
Unit Weight
0.006314 oz
обновлено 2017-07-23 07:30:50
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 76031 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 3.41RUB руб. Купить

Доступное количество: 145743 шт.

2N7000BU%40ONS