2N7000G
Купить со склада от 10,60 руб2N7000-D75Z Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
0.298 грамм
Анализ рынка 2N7000G@ONS - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Сегодня
249
от 249
17,40 p
Склад
1-2
778
от 411
13,10 p
Склад
3
1000
от 1000
12,20 p
Склад
26
15610
от 10000
33,50 p
Склад
26
1103
от 1000
29,20 p
Склад
28
33090
от 10000
20,20 p
Технические характеристики 2N7000G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
ON Semiconductor
Series
-
Packaging
Cut Tape (CT)
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
200mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
400mW (Ta)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-92-3
Package Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Base Part Number
2N7000
обновлено 24-03-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
76029
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 10.60RUB руб. Купить
Доступное количество: 192956 шт.
2N7000G%40ONS