2N6782

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF 2N6782@INFIN PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
2N6782 фото 1 2N6782 фото 1
2N6782 фото 2 2N6782 фото 2
2N6782 фото 3 2N6782 фото 3
2N6782
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 2N6782
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
HEXFET
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
100
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
3.5
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
690@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
6.5(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
6.5(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
180@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
15000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Pin Count
3
Supplier Package
TO-39
Package Family Name
TO-205-AF
Standard Package Name
TO-205-AF
Life Cycle
Active
Military Qualified
No
Automotive
No
обновлено 2017-03-05 09:03:48

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

2N6782%40INFIN