2N6384

Bipolar Junction Transistor, Darlington, NPN Type, TO-3

Worldwide (495)649-84-45 Central Semiconductor
Техническая документация:
2N6384

Анализ рынка 2N6384@CSEMI - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики 2N6384

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Central Semiconductor Corp
Series
-
Packaging
Tube
Part Status
Active
Transistor Type
NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 5A, 3V
Power - Max
100W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-65В°C ~ 200В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-204AA, TO-3
Supplier Device Package
TO-3
обновлено 19-04-2024
2N6384%40CSEMI