2N5657

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF 2N5657@ST PDF даташит
Аналоги товара:
2N5657 фото 1 2N5657 фото 1
2N5657 фото 2 2N5657 фото 2
2N5657
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 2N5657
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Manufacturer
STMicroelectronics
RoHS
No
Mounting Style
Through Hole
Package Case
SOT-32-3
Transistor Polarity
NPN
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
350 V
Collector- Base Voltage VCBO
375 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
10 V
Maximum DC Collector Current
1 A
Gain Bandwidth Product fT
10 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
2N5657
Brand
STMicroelectronics
Continuous Collector Current
0.5 A
DC CollectorBase Gain hfe Min
30
DC Current Gain hFE Max
250
Height
10.8 mm (Max)
Length
7.8 mm (Max)
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Packaging
Tube
Pd - Power Dissipation
20 W
Factory Pack Quantity
50
Width
2.7 mm (Max)
обновлено 2017-07-27 11:00:12

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

2N5657%40ST