2N5655G

2N5655 - Power Bipolar Transistor, 0.5A, 250V, NPN, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
2N5655G

Анализ рынка 2N5655G@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики 2N5655G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Lead Finish
Matte Tin
Operating Temperature
-65 to 150 °C
Minimum DC Current Gain
25@50mA@10VI30@100mA@10VI15@250mA@10VI5@500mA@10V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1@10mA@100mAI2.5@25mA@250mAI10@100mA@500mA V
Mounting
Through Hole
Maximum Collector Emitter Voltage
250 V
Maximum Collector Base Voltage
275 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum DC Collector Current
0.5 A
Type
NPN
Maximum Power Dissipation
20000 mW
обновлено 24-03-2024
2N5655G%40ONS