2N5551G

Купить со склада от 0,00 руб
продукт морально устарел Изготовитель сообщает: продукт морально устарел, снят с производства. Не используйте в разработках - скоро исчезнет с рынка.
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF 2N5551G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
2N5551G фото 1 2N5551G фото 1
2N5551G фото 2 2N5551G фото 2
2N5551G фото 3 2N5551G фото 3
2N5551G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 2N5551G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
RoHS
Details
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-92-3 Kinked Lead
Transistor Polarity
NPN
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
160 V
Collector- Base Voltage VCBO
180 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.2 V
Maximum DC Collector Current
0.6 A
Gain Bandwidth Product fT
300 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
2N5551
Brand
Fairchild Semiconductor
Continuous Collector Current
0.6 A
DC CollectorBase Gain hfe Min
80
DC Current Gain hFE Max
250
Height
4.7 mm
Length
4.7 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Packaging
Ammo Pack
Pd - Power Dissipation
625 mW
Factory Pack Quantity
2000
Width
3.93 mm
обновлено 2017-07-23 07:30:50
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 75591 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 2147799 шт.

2N5551G%40ONS