2N3810

Купить со склада от 1044,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Microsemi
Техническая документация:
PDF 2N3810@MICROSEMI PDF даташит
2N3810 фото 1 2N3810 фото 1
2N3810 фото 2 2N3810 фото 2
2N3810
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 2N3810
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
1
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer
Microsemi Corporation
Series
-
Packaging
Bulk
Part Status
Active
Transistor Type
2 PNP (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 100ВµA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10ВµA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 1mA, 5V
Power - Max
350mW
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-65В°C ~ 200В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-78-6 Metal Can
Supplier Device Package
TO-78-6
обновлено 2017-07-23 07:30:50
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 75240 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1044.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 2839 шт.

2N3810%40MICROSEMI