2N3766

Trans GP BJT NPN 60V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray

Worldwide (495)649-84-45 Microchip Technology
Техническая документация:
2N3766

Анализ рынка 2N3766@MICROCHIP - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики 2N3766

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Collector Current (DC) (Max)
4 A
Collector-Base Voltage
80(V)
Collector-Emitter Voltage
60(V)
Emitter-Base Voltage
6(V)
Power Dissipation
25(W)
Mounting
Through Hole
Operating Temp Range
-65C to 200C
Package Type
TO-66
Pin Count
2 +Tab
Number of Elements
1
DC Current Gain (Min)
30
Operating Temperature Classification
Military
Category
Bipolar Power
Rad Hardened
No
Transistor Polarity
NPN
Collector Current (DC)
4(A)
DC Current Gain
30
Configuration
Single
Output Power
Not Required(W)
Packaging
Tray
обновлено 19-04-2024
2N3766%40MICROCHIP