2N3055G

Купить со склада от 73,60 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF 2N3055G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
2N3055G фото 1 2N3055G фото 1
2N3055G фото 2 2N3055G фото 2
2N3055G фото 3 2N3055G фото 3
2N3055G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 2N3055G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Bipolar Power
Configuration
Common Base
Dimensions
39.37 x 8.51 x 26.67 mm
Height
26.67 mm
Length
39.37 mm
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum DC Collector Current
15 A
Maximum Emitter Base Voltage
7 V
Maximum Operating Frequency
2.5 MHz
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Maximum Power Dissipation
115 W
Minimum DC Current Gain
5
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-65 to +200 °C
Package Type
TO-204AA
Pin Count
2
Transistor Material
Si
Transistor Type
NPN
Width
8.51 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:48
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 75056 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 73.60RUB руб. Купить

Доступное количество: 29814 шт.

2N3055G%40ONS