IRFR4104

Купить со склада от 103,00 руб

Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 40В, 119А, 140Вт, DPAK

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Аналоги товара:
IRFR4104

Анализ рынка IRFR4104@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
27
4292
от 1000
107,00 p
Склад
22
1879
от 1000
103,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
32
1675
от 1000
152,00 p

Технические характеристики IRFR4104

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
40 V
Id - Continuous Drain Current
119 A
Rds On - Drain-Source Resistance
5.5 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V to 4 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Qg - Gate Charge
59 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Packaging
Tube
Brand
Infineon Technologies
Fall Time
36 ns
Forward Transconductance - Min
58 S
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Pd - Power Dissipation
140 W
Rise Time
69 ns
Factory Pack Quantity
3000
Transistor Type
1 N-Channel
Type
HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
37 ns
Typical Turn-On Delay Time
17 ns
Width
6.22 mm
Part # Aliases
SP001575910
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 19-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 710836 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 103.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 9246 шт.

IRFR4104%40INFIN