IPD640N06LG

Купить со склада от 53,60 руб

18 A, 60 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
IPD640N06LG

Анализ рынка IPD640N06LG@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
24
от 24
140,00 p
Склад
34
513
от 500
53,60 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IPD640N06LG

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Id - Continuous Drain Current
18 A
Rds On - Drain-Source Resistance
64 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Tradename
OptiMOS
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Single
Fall Time
32 ns
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Pd - Power Dissipation
47 W
Rise Time
25 ns
Series
IPD640N06
Factory Pack Quantity
2500
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
32 ns
Typical Turn-On Delay Time
6 ns
Width
6.22 mm
Part # Aliases
IPD640N06LGBTMA1 IPD640N06LGXT SP000443766
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 707475 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 53.60RUB руб. Купить

Доступное количество: 537 шт.

IPD640N06LG%40INFIN