Товаров: 5 021 246 от 3228
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-16 07:35
BSZ100N06LS3G
Купить со склада от 87,80 рубPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 11A I(D), 60V, 0.0179OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Анализ рынка BSZ100N06LS3G@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
28
9116
от 5000
89,60 p
Склад
24
1613
от 1000
87,80 p
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики BSZ100N06LS3G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TSDSON-8
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Id - Continuous Drain Current
20 A
Rds On - Drain-Source Resistance
7.7 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.2 V
Qg - Gate Charge
45 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Tradename
OptiMOS
Brand
Infineon Technologies
Configuration
1 N-Channel
Fall Time
8 ns
Forward Transconductance - Min
20 S
Height
1.1 mm
Length
3.3 mm
Pd - Power Dissipation
50 W
Rise Time
58 ns
Factory Pack Quantity
5000
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
19 ns
Typical Turn-On Delay Time
8 ns
Width
3.3 mm
Part # Aliases
BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06LS3GXT SP000453672
обновлено 16-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
707417
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 87.80RUB руб. Купить
Доступное количество: 10729 шт.
BSZ100N06LS3G%40INFIN