IRLB3036

Купить со склада от 316,00 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET, logic level; 60В; 270А

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
3.075 грамм
IRLB3036

Анализ рынка IRLB3036@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
23
от 23
677,00 p
Склад
1-2
100
от 100
335,00 p
Склад
26
440
от 100
547,00 p
Склад
26
20247
от 5000
374,00 p
Склад
27
2881
от 2000
369,00 p
Склад
28
3326
от 2000
406,00 p

Технические характеристики IRLB3036

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
195A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 165A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 4.5V
Vgs (Max)
В±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11210pF @ 50V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
380W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package Case
TO-220-3
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 658735 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 316.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 60818 шт.

IRLB3036%40INFIN