IRLZ34NL

Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 55В; 30А; 68Вт; TO262

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRLZ34NL@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRLZ34NL фото 1 IRLZ34NL фото 1
IRLZ34NL фото 2 IRLZ34NL фото 2
IRLZ34NL фото 3 IRLZ34NL фото 3
IRLZ34NL

Анализ рынка IRLZ34NL@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRLZ34NL

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Training Modules
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN Obsolescence EOL
Multiple Devices 25Apr2014
Standard Package
50
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
FETs - Single
Series
HEXFET®
Packaging
Tube
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs
25nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
880pF @ 25V
Power - Max
3.8W
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Supplier Device Package
TO-262
Other Names
*IRLZ34NLPBF
обновлено 17-10-2020
IRLZ34NL%40INFIN