IRLU3114Z

Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 40В; 130А; 140Вт

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRLU3114Z@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRLU3114Z фото 1 IRLU3114Z фото 1
IRLU3114Z фото 2 IRLU3114Z фото 2
IRLU3114Z фото 3 IRLU3114Z фото 3
IRLU3114Z

Анализ рынка IRLU3114Z@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRLU3114Z

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Training Modules
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)Discrete Power MOSFETs 40V and Below
PCN Obsolescence
Multiple Devices 25Apr2014
PCN AssemblyOrigin
Mosfet Backend Wafer Processing 23Oct2013
Standard Package
75
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
FETs - Single
Series
HEXFET&
Packaging
Tube
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25&C
42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.9 mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100&A
Gate Charge (Qg) @ Vgs
56nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
3810pF @ 25V
Power - Max
140W
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Supplier Device Package
I-Pak
обновлено 17-10-2020
IRLU3114Z%40INFIN