IRL7833L

Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 30В; 150А; 140Вт

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRL7833L@INFIN Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRL7833L фото 1 IRL7833L фото 1
IRL7833L фото 2 IRL7833L фото 2
IRL7833L

Анализ рынка IRL7833L@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRL7833L

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Design Resources
IRL7833LPBF Saber ModelIRL7833LPBF Spice Model
PCN Obsolescence EOL
Multiple Devices 19Jun2012
Standard Package
50
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
FETs - Single
Series
HEXFET®
Packaging
Tube
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs
47nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
4170pF @ 15V
Power - Max
140W
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Supplier Device Package
TO-262
Other Names
*IRL7833LPBF
обновлено 24-10-2020
IRL7833L%40INFIN