IRL3303L

Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 30В; 38А; 68Вт; TO262

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRL3303L@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRL3303L фото 1 IRL3303L фото 1
IRL3303L фото 2 IRL3303L фото 2
IRL3303L фото 3 IRL3303L фото 3
IRL3303L

Анализ рынка IRL3303L@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRL3303L

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Catalog Drawings
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
MOSFETs, GaNFETs - Single
Series
HEXFET®
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature
Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
38A
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
870pF @ 25V
Power - Max
3.8W
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-262-3 (Straight Leads)
Supplier Device Package
TO-262
Other Names
*IRL3303LPBF
обновлено 17-10-2020
IRL3303L%40INFIN