IRL2910L

Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 100В; 55А; 190Вт

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRL2910L@INFIN Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRL2910L фото 1 IRL2910L фото 1
IRL2910L фото 2 IRL2910L фото 2
IRL2910L

Анализ рынка IRL2910L@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRL2910L

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Catalog Drawings
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
FETs - Single
Series
HEXFET®
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature
Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 29A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
55A
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs
140nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
3700pF @ 25V
Power - Max
3.8W
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-262-3 (Straight Leads)
Supplier Device Package
TO-262
Other Names
*IRL2910LPBF
обновлено 26-10-2020
IRL2910L%40INFIN