IRFZ48ZS

МОП-транзистор MOSFT 55V 61A 11mOhm 43nC

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFZ48ZS@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRFZ48ZS фото 1 IRFZ48ZS фото 1
IRFZ48ZS фото 2 IRFZ48ZS фото 2
IRFZ48ZS фото 3 IRFZ48ZS фото 3
IRFZ48ZS

Анализ рынка IRFZ48ZS@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRFZ48ZS

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-263-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
55 V
Id - Continuous Drain Current
61 A
Rds On - Drain-Source Resistance
11 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Qg - Gate Charge
43 nC
Configuration
Single
Packaging
Tube
Brand
Infineon IR
Height
4.4 mm
Length
10 mm
Pd - Power Dissipation
91 W
Factory Pack Quantity
1000
Transistor Type
1 N-Channel
Width
9.25 mm
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 24-10-2020
IRFZ48ZS%40INFIN