IRFU3711Z

МОП-транзистор N, 20 V 93 A 79 W IPAK

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFU3711Z@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRFU3711Z фото 1 IRFU3711Z фото 1
IRFU3711Z фото 2 IRFU3711Z фото 2
IRFU3711Z фото 3 IRFU3711Z фото 3
IRFU3711Z

Анализ рынка IRFU3711Z@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRFU3711Z

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Training Modules
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Design Resources
IRFR3711Z Saber ModelIRFR3711Z Spice Model
PCN Obsolescence EOL
Multiple Devices 25Apr2014
PCN AssemblyOrigin
Backend Wafer Transfer 23Oct2013
Standard Package
75
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
FETs - Single
Series
HEXFET®
Packaging
Tube
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs
27nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
2160pF @ 10V
Power - Max
79W
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Supplier Device Package
I-Pak
Other Names
*IRFU3711ZPBF
обновлено 26-10-2020
IRFU3711Z%40INFIN