IRFSL4610

Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 100В; 73А; 190Вт

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFSL4610@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRFSL4610 фото 1 IRFSL4610 фото 1
IRFSL4610 фото 2 IRFSL4610 фото 2
IRFSL4610 фото 3 IRFSL4610 фото 3
IRFSL4610

Анализ рынка IRFSL4610@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRFSL4610

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Catalog Drawings
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
MOSFETs, GaNFETs - Single
Series
HEXFET®
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature
Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 44A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
73A
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs
140nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
3550pF @ 50V
Power - Max
190W
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-262-3 (Straight Leads)
Supplier Device Package
TO-262
Other Names
*IRFSL4610PBF
обновлено 26-10-2020
IRFSL4610%40INFIN