IRFSL4227

Купить со склада от 196,00 руб

Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 200В; 62А; 330Вт

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFSL4227@INFIN Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
IRFSL4227 фото 1 IRFSL4227 фото 1
IRFSL4227 фото 2 IRFSL4227 фото 2
IRFSL4227 фото 3 IRFSL4227 фото 3
IRFSL4227

Анализ рынка IRFSL4227@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
6
28
от 10
196,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRFSL4227

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-262-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
200 V
Id - Continuous Drain Current
62 A
Rds On - Drain-Source Resistance
26 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Qg - Gate Charge
70 nC
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Packaging
Tube
Brand
Infineon IR
Fall Time
31 ns
Forward Transconductance - Min
49 S
Height
9.45 mm
Length
10.2 mm
Pd - Power Dissipation
330 W
Rise Time
20 ns
Factory Pack Quantity
50
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
21 ns
Typical Turn-On Delay Time
33 ns
Width
4.5 mm
Unit Weight
0.084199 oz
обновлено 17-10-2020
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 622388 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 196.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 28 шт.

IRFSL4227%40INFIN