IRFSL3507

Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 75В; 97А; 190Вт

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFSL3507@INFIN Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRFSL3507 фото 1 IRFSL3507 фото 1
IRFSL3507

Анализ рынка IRFSL3507@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRFSL3507

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
RoHS Information
Standard Package
50
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
MOSFETs - Single
Series
*
Mounting Type
Through Hole
FET Polarity
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
97A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8 mOhm @ 58A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
3540pF @ 50V
Power - Max
190W
Packaging
Bulk
Gate Charge (Qg) @ Vgs
130nC @ 10V
Package Case
TO-262-3 (Straight Leads)
FET Feature
Standard
Other Names
*IRFSL3507PBF
обновлено 17-10-2020
IRFSL3507%40INFIN