IRFB4332

Купить со склада от 116,00 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 250В; 60А; 390Вт; TO220AB

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB4332@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
2.8056 грамм
IRFB4332 фото 1 IRFB4332 фото 1
IRFB4332 фото 2 IRFB4332 фото 2
IRFB4332 фото 3 IRFB4332 фото 3
IRFB4332

Анализ рынка IRFB4332@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
1-2
8
от 8
133,00 p
Склад
1-2
100
от 100
117,00 p
Склад
1-2
1218
от 50
119,00 p
Склад
6
8020
от 1000
119,00 p
Склад
8
7944
от 100
116,00 p
Склад
3
32
от 22
123,00 p
Завод
 

Технические характеристики IRFB4332

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Vgs (Max)
В±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5860pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
390W (Tc)
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package Case
TO-220-3
обновлено 26-10-2020
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 622348 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 116.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 44049 шт.

IRFB4332%40INFIN