IRFB4310Z

Купить со склада от 91,10 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 100В; 127А; 250Вт; TO220AB

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB4310Z@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
2.7647 грамм
IRFB4310Z фото 1 IRFB4310Z фото 1
IRFB4310Z фото 2 IRFB4310Z фото 2
IRFB4310Z фото 3 IRFB4310Z фото 3
IRFB4310Z

Анализ рынка IRFB4310Z@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
1-2
130
от 100
95,70 p
Склад
5
300
от 100
133,00 p
Склад
6
2580
от 1000
91,10 p
Склад
6
3548
от 2500
126,00 p
Склад
8
4880
от 1000
109,00 p
Склад
17
650
от 150
101,00 p
Завод
 

Технические характеристики IRFB4310Z

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6860pF @ 50V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package Case
TO-220-3
обновлено 17-10-2020
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 622347 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 91.10RUB руб. Купить

Доступное количество: 21702 шт.

IRFB4310Z%40INFIN