IRFB4215

Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 60В; 115А; 270Вт

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB4215@INFIN Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRFB4215 фото 1 IRFB4215 фото 1
IRFB4215 фото 2 IRFB4215 фото 2
IRFB4215 фото 3 IRFB4215 фото 3
IRFB4215

Анализ рынка IRFB4215@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRFB4215

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Drain Current (Max)
115 A
Frequency (Max)
Not Required MHz
Gate-Source Voltage (Max)
±20(V)
Output Power (Max)
Not Required W
Power Dissipation
270(W)
Mounting
Through Hole
Noise Figure
Not Required dB
Drain-Source On-Res
0.009(ohm)
Operating Temp Range
-55C to 175C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3 +Tab
Polarity
N
Type
Power MOSFET
Number of Elements
1
Operating Temperature Classification
Military
Channel Mode
Enhancement
Drain Efficiency
Not Required %
Drain-Source On-Volt
60(V)
Power Gain
Not Required dB
Rad Hardened
No
Continuous Drain Current
115(A)
DELETED
Compliant
обновлено 26-10-2020
IRFB4215%40INFIN