IRFB4127

Купить со склада от 104,00 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 200В; 76А; 375Вт; TO220AB

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB4127@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
2.8700 грамм
IRFB4127 фото 1 IRFB4127 фото 1
IRFB4127 фото 2 IRFB4127 фото 2
IRFB4127 фото 3 IRFB4127 фото 3
IRFB4127

Анализ рынка IRFB4127@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
1-2
11
от 10
147,00 p
Склад
1-2
143
от 100
134,00 p
Склад
1-2
1066
от 850
104,00 p
Склад
6
1897
от 100
133,00 p
Склад
9
2900
от 1000
144,00 p
Склад
86
1150
от 100
133,00 p
Завод
 

Технические характеристики IRFB4127

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
200 V
Id - Continuous Drain Current
76 A
Rds On - Drain-Source Resistance
20 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Qg - Gate Charge
100 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Single
Fall Time
22 ns
Forward Transconductance - Min
79 S
Height
15.65 mm
Length
10 mm
Pd - Power Dissipation
375 W
Rise Time
18 ns
Factory Pack Quantity
50
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
56 ns
Typical Turn-On Delay Time
17 ns
Width
4.4 mm
Unit Weight
0.211644 oz
обновлено 26-10-2020
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 622344 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 104.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 19865 шт.

IRFB4127%40INFIN