Товаров: 5 086 371 от 3240
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-19 01:38
IRFB4127
Купить со склада от 164,00 рубТранзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 200В; 76А; 375Вт; TO220AB
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Масса товара:
2.87 грамм
Анализ рынка IRFB4127@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
27
24847
от 1000
471,00 p
Склад
29
530
от 500
371,00 p
Склад
1-2
1950
от 1000
174,00 p
Склад
22
7797
от 1000
198,00 p
Склад
28
16863
от 1000
351,00 p
Склад
1-2
1950
от 1000
174,00 p
Технические характеристики IRFB4127
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
200 V
Id - Continuous Drain Current
76 A
Rds On - Drain-Source Resistance
20 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Qg - Gate Charge
100 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Single
Fall Time
22 ns
Forward Transconductance - Min
79 S
Height
15.65 mm
Length
10 mm
Pd - Power Dissipation
375 W
Rise Time
18 ns
Factory Pack Quantity
50
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
56 ns
Typical Turn-On Delay Time
17 ns
Width
4.4 mm
Unit Weight
0.211644 oz
обновлено 19-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
622344
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 164.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 93789 шт.
IRFB4127%40INFIN