IRFB3307Z

Купить со склада от 74,30 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 75В; 120А; 230Вт; TO220AB

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB3307Z@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
2.9000 грамм
IRFB3307Z фото 1 IRFB3307Z фото 1
IRFB3307Z фото 2 IRFB3307Z фото 2
IRFB3307Z фото 3 IRFB3307Z фото 3
IRFB3307Z

Анализ рынка IRFB3307Z@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
1-2
14
от 14
85,30 p
Склад
5
300
от 100
115,00 p
Склад
6
865
от 500
106,00 p
Склад
6
8633
от 1000
74,30 p
Склад
9
18936
от 10000
81,70 p
Склад
234
3000
от 1000
74,30 p
Завод
 

Технические характеристики IRFB3307Z

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Configuration
HEXFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
75
Maximum Gate Source Voltage - (V)
??20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
120
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
5.8@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
79@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
79
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
4750@50V
Maximum Power Dissipation - (mW)
230000
Operating Temperature - (??C)
-55~175
Packaging
Tube
Pin Count
3
Supplier Package
TO-220AB
Standard Package Name
TO-220
Military
No
Automotive
No
обновлено 31-10-2020
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 622341 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 74.30RUB руб. Купить

Доступное количество: 63143 шт.

IRFB3307Z%40INFIN