IRFB3207Z

Купить со склада от 92,60 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 75В; 170А; 300Вт; TO220AB

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB3207Z@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3.1000 грамм
IRFB3207Z фото 1 IRFB3207Z фото 1
IRFB3207Z фото 2 IRFB3207Z фото 2
IRFB3207Z фото 3 IRFB3207Z фото 3
IRFB3207Z

Анализ рынка IRFB3207Z@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
1-2
20
от 20
102,00 p
Склад
1-2
189
от 150
96,90 p
Склад
5
300
от 100
125,00 p
Склад
6
230
от 100
93,50 p
Склад
8
1828
от 1000
133,00 p
Склад
120
2000
от 1000
92,60 p
Завод
 

Технические характеристики IRFB3207Z

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Process Technology
HEXFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
75
Maximum Gate Source Voltage - (V)
??20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
170
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
4.1@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
120@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
120
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
6920@50V
Maximum Power Dissipation - (mW)
300000
Operating Temperature - (??C)
-55~175
Packaging
Tube
Pin Count
3
Supplier Package
TO-220AB
Standard Package Name
TO-220
Military
No
Automotive
No
обновлено 26-10-2020
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 622339 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 92.60RUB руб. Купить

Доступное количество: 61444 шт.

IRFB3207Z%40INFIN