Товаров: 5 086 371 от 3240
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-19 01:38
IRFB3207Z
Купить со склада от 104,00 рубТранзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 75В; 170А; 300Вт; TO220AB
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
3 грамм
Анализ рынка IRFB3207Z@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
27
2686
от 1000
241,00 p
Склад
26
10666
от 10000
249,00 p
Склад
1-2
200
от 150
111,00 p
Склад
30
2536
от 1000
252,00 p
Склад
30
4957
от 1000
252,00 p
Склад
Сегодня
67
от 19
225,00 p
Технические характеристики IRFB3207Z
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6920pF @ 50V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package Case
TO-220-3
обновлено 19-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
622339
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 104.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 72126 шт.
IRFB3207Z%40INFIN