IRF8010S

Купить со склада от 75,80 руб

Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 100В; 80А; 260Вт

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF8010S@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
2.3100 грамм
IRF8010S фото 1 IRF8010S фото 1
IRF8010S фото 2 IRF8010S фото 2
IRF8010S фото 3 IRF8010S фото 3
IRF8010S

Анализ рынка IRF8010S@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
1-2
26
от 25
82,70 p
Склад
6
808
от 100
129,00 p
Склад
8
800
от 800
75,80 p
Склад
9
800
от 800
95,60 p
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRF8010S

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Training Modules
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Design Resources
IRF8010SPBF Saber ModelIRF8010SPBF Spice Model
PCN AssemblyOrigin
Alternate Assembly Site 11Nov2013
Standard Package
1
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
FETs - Single
Series
HEXFET®
Packaging
Digi-Reel®
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs
120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
3830pF @ 25V
Power - Max
260W
Mounting Type
Surface Mount
Package Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
Online Catalog
N-Channel Standard FETs
Other Names
IRF8010STRLPBFDKR
обновлено 17-10-2020
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 622336 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 75.80RUB руб. Купить

Доступное количество: 3099 шт.

IRF8010S%40INFIN