IRF7805Q

Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 30В; 13А; 2,5Вт; SO8

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7805Q@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
IRF7805Q фото 1 IRF7805Q фото 1
IRF7805Q фото 2 IRF7805Q фото 2
IRF7805Q фото 3 IRF7805Q фото 3
IRF7805Q

Анализ рынка IRF7805Q@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRF7805Q

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Drain Current (Max)
13 A
Frequency (Max)
Not Required MHz
Gate-Source Voltage (Max)
?12 V
Output Power (Max)
Not Required W
Power Dissipation
2.5 W
Mounting
Surface Mount
Noise Figure
Not Required dB
Drain-Source On-Res
0.011 ohm
Operating Temp Range
-55C to 150C
Package Type
SOIC
Pin Count
8
Polarity
N
Type
Power MOSFET
Number of Elements
1
Operating Temperature Classification
Military
Channel Mode
Enhancement
Drain Efficiency
Not Required %
Drain-Source On-Volt
30 V
Power Gain
Not Required dB
Rad Hardened
No
Continuous Drain Current
13 A
DELETED
Compliant
обновлено 26-10-2020
IRF7805Q%40INFIN