IRF7413Q

Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 30В; 13А; 2,5Вт; SO8

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7413Q@INFIN Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF7413Q фото 1 IRF7413Q фото 1
IRF7413Q фото 2 IRF7413Q фото 2
IRF7413Q фото 3 IRF7413Q фото 3
IRF7413Q

Анализ рынка IRF7413Q@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRF7413Q

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
1
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
MOSFETs - Single
Series
HEXFET®
Mounting Type
Surface Mount
FET Polarity
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 7.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
1800pF @ 25V
Power - Max
2.5W
Packaging
Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) @ Vgs
79nC @ 10V
Package Case
SO-8
FET Feature
Logic Level Gate
Other Names
IRF7413QTRPBFCT
обновлено 31-10-2020
IRF7413Q%40INFIN