IRF7379Q

Транзистор: МОП n+p-канал.x2; полевой; HEXFET; 30В; 5,8А; 2,5Вт

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7379Q@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF7379Q фото 1 IRF7379Q фото 1
IRF7379Q фото 2 IRF7379Q фото 2
IRF7379Q фото 3 IRF7379Q фото 3
IRF7379Q

Анализ рынка IRF7379Q@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRF7379Q

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Catalog Drawings
Standard Package
1
Category
Family
Series
FET Type
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
5.8A, 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
520pF @ 25V
Power - Max
2.5W
Mounting Type
Surface Mount
Package Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
Packaging
Cut Tape (CT)
Other Names
IRF7379QTRPBFCT
обновлено 24-10-2020
IRF7379Q%40INFIN