IRF7316Q

Транзистор: МОП р-канал.x2; полевой; HEXFET; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7316Q@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF7316Q фото 1 IRF7316Q фото 1
IRF7316Q фото 2 IRF7316Q фото 2
IRF7316Q

Анализ рынка IRF7316Q@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRF7316Q

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Catalog Drawings
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
FETs - Arrays
Series
HEXFET®
FET Type
2 P-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58 mOhm @ 4.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
4.9A
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs
34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
710pF @ 25V
Power - Max
2W
Mounting Type
Surface Mount
Package Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
Other Names
IRF7316QTRPBFCT
обновлено 28-11-2020
IRF7316Q%40INFIN