IRF7105Q

INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7105QPBF MOSFET, NP SO-8

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7105Q@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF7105Q фото 1 IRF7105Q фото 1
IRF7105Q фото 2 IRF7105Q фото 2
IRF7105Q

Анализ рынка IRF7105Q@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRF7105Q

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Catalog Drawings
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
FETs - Arrays
Series
HEXFET®
FET Type
N and P-Channel
FET Feature
Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
3.5A, 2.3A
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs
27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
330pF @ 15V
Power - Max
2W
Mounting Type
Surface Mount
Package Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
Other Names
IRF7105QTRPBFCT
обновлено 17-10-2020
IRF7105Q%40INFIN